二硫化钼薄膜是具有独特的电学和热学性质的二维材料，广泛应用于光电子学、纳米器件、柔性电子器件等领域。单层二硫化钼结构，与用于电整流的二极管相似，因此在热整流应用中具有潜在优势。

钨硅靶材采用电子束熔炼钨粉(≥99.995%)与半导体级多晶硅(≥99.9999%)，通过反应等离子烧结(RPS)+热等静压(HIP)工艺制备的超高温互连功能靶材。

钨铟锌锡靶材(WInSnSe)是以高纯钨(W)、铟(In)、锡(Sn)及硒(Se)为原料，通过机械合金化与真空热压烧结技术制备的四元硫族化合物靶材，纯度≥99.98%，密度≥6.8 g/cm³。其具备宽光谱吸收(0.8-1.5 eV可调带隙)、高热电优值(ZT≥0.8 @500K)及柔性兼容特性，适配磁控溅射、化学气相沉积(CVD)等工艺，用于沉积柔性光伏薄膜、红外探测器及热电转换器件功能层。

高纯二氧化锡(SnO₂ ≥99.99%)为基体，掺入精确配比的氟化锡(SnF₂)作为掺杂剂，通过热等静压烧结(HIP)或气氛保护烧结制备的陶瓷溅射靶材。

二硅化镍(NiSi2)靶材基本信息：分子式：NiSi₂；纯度：99.95%；CAS号：12265-55-3；摩尔质量：115.87 g/mol；

二硅化钛(TiSi2)靶材基本信息：分子式：TiSi₂，纯度：99.95%，CAS号：12039-83-7；