锑化铋颗粒是以高纯铋(Bi，≥99.999%)和锑(Sb，≥99.99%)为原料，通过 区熔定向凝固-机械破碎-等离子球化 工艺制备的拓扑半导体材料，化学配比Bi₁₋ₓSbₓ(x=0.07-0.22)，粒径范围10-500 μm(激光粒度仪验证)，晶体结构为菱方R-3m相(XRD Rietveld精修)。其具备 强各向异性塞贝克效应(300K时>150 μV/K)、本征拓扑绝缘特性(体带隙>30 meV)及超低晶格热导率(<0.8 W/m·K)，专用于高效热电转换模块、量子计算马约拉纳费米子载体、红外光电探测器及自旋电子器件。

锑掺锗靶材采用区域熔炼高纯锗锭(≥99.9999%)与蒸馏提纯锑锭(≥99.995%)，通过垂直梯度凝固法(VGF)+ 超精准掺杂工艺制备的N型半导体靶材。

过渡金属氧化物SrCoO3拥有其独特的电学、磁学特性和广阔的应用前景，氧空位是氧化物中常见的一种缺陷,可以显著地影响这些材料的结构及性质。SrCoO3-δ基钙钛矿氧化物材料由于其具有离子-电子混合导电性,最初被用作透氧膜材料。立方相SrCoO3-δ表现出高的离子-电子混合电导,因此大量研究通过SrCoO3-δ基材料A位或B位替代以改善其结构稳定性及电化学性能。近些年来,通过A位和B位部分替代的SrCoO3-δ基钙钛矿氧化物(Ba0.5Sr0.5)(Co0.8Fe0.2)O3-δ(BSCF)作为固体氧化物燃料电池(SOFC)阴极材料。

N型硅锗合金是一类性能优异的高温热电材料，由它制成的放射性同位素热电发电机RTG可以长时间有效地将放射性同位素(Pu)衰变产生的热量转化为电能，工作性能稳定而无需额外燃料和人工维护，满足了航空航天器、卫星等设备在太空中的各种仪器供电需求。

硅锗合金是一类性能优异的高温热电材料，由它制成的放射性同位素热电发电机RTG可以长时间有效地将放射性同位素(Pu)衰变产生的热量转化为电能，工作性能稳定而无需额外燃料和人工维护，满足了航空航天器、卫星等设备在太空中的各种仪器供电需求。

ZnO作为一种新型宽禁带半导体材料，不仅原料丰富、无毒，且光电性、压电性、气敏性等性能优异，容易实现掺杂，ZnO掺杂SiO2薄膜，使其具有良好的硬度、光学、介电性质及耐磨、抗蚀、机械等特性，在光学、微电子等领域有着广泛的应用前景。

钐常用于制造激光材料、微波和红外器材，在原子能工业上也有较重要的用处。也用于电子和陶瓷工业。钐容易磁化却很难退磁，在固态元件和超导技术中有重要的应用。

铋锡银镱锶合金棒是一种通过高真空熔炼+定向凝固工艺制备的五元特种功能合金材料。该合金棒以低温共晶铋锡(Bi-Sn)为基体，引入银(Ag)增强导电/导热性、稀土镱(Yb)改善润湿性及抗氧化能力、碱土锶(Sr)细化晶粒并抑制偏析，实现多性能协同优化。

钙钛矿氧化物BaSrVO3薄膜具有极高电导率和高锂离子扩散系数，在氧气或者真空气氛中通过热处理会发生转化,相应的物理化学性质也会发生很大改变,如电导率、磁性状态和电催化活性等，因此也应用于可控光电器件中。

本合金锭采用航空级海绵钛(≥99.7%)、核纯级锆铪分离锆(Zr+Hf≥99.95%)、高纯铌锭(≥99.98%)、区域熔炼锡(≥99.999%)及氢化脱氢钒粉(≥99.9%)为原料，通过真空自耗电弧熔炼(VAR)+ 多次重熔工艺制备的 亚稳β型生物医用钛合金锭。

ZnSb薄膜基热电材料安全无毒、结构简单、原料来源较丰富,且同时还具有较高的热稳定性,因此被认为是具有较广阔的应用前景的热电材料之一，热电材料是一种环境友好型功能材料,它可以实现热能和电能之间直接相互转换,并且在温差发电、半导体制冷和传感器技术领域具有广泛的应用。

硒化铁超导薄膜是继铜氧化合物高温超导体之后被发现的一类新型高温超导材料.在所有铁基超导体中,β-Fe Se因具有最简单的化学组分和结构而被认为是探索超导机制的理想体系.多层硒化铁薄膜中存在向列型电子液晶相(Nematic phase)，其强度随薄膜厚度减小而增大。当薄膜厚度减小至单层极限时，其电子不再表现向列性，高温超导电性出现。

NbS2薄膜显示出高透明性，并且在大面积上的厚度和电导率均一，且NbS2薄膜具有很高的电势，可作为具有低接触电阻的2D过渡金属二卤化钴(TMDC)半导体的透明电极。

Sm2O3是一种典型的稀土镧系金属氧化物,因为其特殊的外层电子结构,其性能非常优异。大多数稀土元素具有空轨道5d,因此稀土元素的化学活性很强,外层的空电子轨道可以转移电子从而提高材料的光催化性能。

SmNiO3属于钙钛矿镍氧化物,是一种强关联性量子材料。

镍硅合金是典型的高温合金,广泛应用于航天、航空等领域.镍硅薄膜可作为表面传导电子发射的发射体材料。

硫化锌薄膜以其直接带隙材料、禁带宽度较大和无色透明等特点被广泛用于在气敏传感、湿敏传感、透明导电薄膜、太阳能电池等领域。ZnS薄膜紫外发射主要是由导带和Zn空位之间的电子跃迁导致的。

氟化钪靶材(ScF₃)是以高纯金属钪(Sc，纯度≥99.99%)为原料，通过真空氟化反应与热等静压烧结技术制备的稀土氟化物功能靶材，化学计量比Sc:F=1:3.00±0.02，理论密度3.86 g/cm³，实际密度≥3.70 g/cm³(相对密度>95%)，晶相为立方晶系(XRD验证)。其具有超宽光谱透过性(截止波长<120 nm，透光范围120 nm-8 μm)、高热稳定性(熔点1550℃)及低电子散射特性(电阻率10³-10⁴ Ω·cm)，适配磁控溅射(DC/RF)、离子束沉积(IBD)及分子束外延(MBE)工艺，广泛应用于极紫外(EUV)光刻、深紫外光学镀膜、超导薄膜及固态电解质领域。

碳化硅是第三代半导体材料，具有带隙宽、热导率高、电子的饱和飘移速度大、临界击穿电场高和介电常数低、化学稳定性好等特点，在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件和紫外探测器灯方面具有广泛应用场景。

一氧化锡是亚稳态金属氧化物半导体,,其Sn空位形成能低,易形成p型传导,具有良好的半导体特性。在220°C及以下的温度时,SnO可以在空气中稳定的存在。其适当的带隙结构和良好的稳定性使它可作为一种用作环境净化的光催化材料,可以将其用于光催化降解有机污染物;SnO在能源储存方面也有不错的性能,其理论比容量较高,在制作成超级电容器时具有良好的赝电容性能。