铜硼颗粒是以高纯电解铜(Cu，≥99.99%)和非晶硼粉(B，≥99.5%)为原料，通过 真空感应熔炼-氩气雾化(VIGA) 制备的高活性合金材料，典型成分为Cu₁₀₀-ₓBₓ(x=0.5-4.0 wt%)，粒径范围5-200 μm(可定制纳米级)，相组成为Cu基固溶体 + CuB₂₄纳米析出相(XRD/TEM验证)。

氧化铋薄膜广泛应用于电子陶瓷材料、电解质材料、光电材料、高温超导材料、光催化剂、核废物吸收材料、显像管荫罩涂层、固体氧化物燃料电池、氧气传感器、变阻器、电致变色等领域。

碳化铌薄膜由于具有提高合金的硬度，改善合金的断裂韧性等优点，常用来制备切削性能优异的硬质合金刀具材料。​

铋锡银镱锶合金棒是一种通过高真空熔炼+定向凝固工艺制备的五元特种功能合金材料。该合金棒以低温共晶铋锡(Bi-Sn)为基体，引入银(Ag)增强导电/导热性、稀土镱(Yb)改善润湿性及抗氧化能力、碱土锶(Sr)细化晶粒并抑制偏析，实现多性能协同优化。

钙钛矿氧化物BaSrVO3薄膜具有极高电导率和高锂离子扩散系数，在氧气或者真空气氛中通过热处理会发生转化,相应的物理化学性质也会发生很大改变,如电导率、磁性状态和电催化活性等，因此也应用于可控光电器件中。

BiFeO3(BFO)是少数几种在室温下同时具有铁电有序和反铁磁有序的单相多铁材料之一,有稳定的晶体结构、独特的电磁、催化和气敏性等特点,在信息存储、传感器、电学、磁学等多个现代技术领域有重要的应用前景。用稀土元素La进行掺杂可以增强铁酸铋的铁电性和铁磁性。

本合金锭采用航空级海绵钛(≥99.7%)、核纯级锆铪分离锆(Zr+Hf≥99.95%)、高纯铌锭(≥99.98%)、区域熔炼锡(≥99.999%)及氢化脱氢钒粉(≥99.9%)为原料，通过真空自耗电弧熔炼(VAR)+ 多次重熔工艺制备的 亚稳β型生物医用钛合金锭。

ZnSb薄膜基热电材料安全无毒、结构简单、原料来源较丰富,且同时还具有较高的热稳定性,因此被认为是具有较广阔的应用前景的热电材料之一，热电材料是一种环境友好型功能材料,它可以实现热能和电能之间直接相互转换,并且在温差发电、半导体制冷和传感器技术领域具有广泛的应用。

NbS2薄膜显示出高透明性，并且在大面积上的厚度和电导率均一，且NbS2薄膜具有很高的电势，可作为具有低接触电阻的2D过渡金属二卤化钴(TMDC)半导体的透明电极。

氟化镱靶材(YbF₃)是以高纯金属镱(Yb，纯度≥99.99%)与氟化剂为原料，通过真空热压烧结与表面钝化技术制备的稀土氟化物靶材，化学计量比Yb:F=1:3.00±0.02，密度≥7.12 g/cm³(理论密度≥95%)。其具备极低光学吸收(400-8000 nm波段吸收系数<10⁻⁴ cm⁻¹)、高热稳定性(熔点>1150℃)及优异抗潮解性(湿度>90%环境下无水解)，适配热蒸发、离子束溅射(IBS)等工艺，用于沉积红外增透膜、激光防护层及紫外截止滤光片。

铋(Bismuth)，是一种化学元素，其化学符号为Bi，原子序数为83，原子量为208.98040 u。铋是一种五价的后过渡金属，化学性质类似于同属氮族的砷和锑。铋可以在自然界中找到，它的硫化物和氧化物是重要的商业矿石。纯铋的密度是纯铅的86%。它刚产出时是银白色的易脆金属，但表面氧化后呈粉红色。铋是天然的反磁性金属，也是金属中热导率最低的元素之一。

氮化硼掺二硼化钛坩埚具有良好的耐热性、热稳定性、导热性、高温介电强度，可以抵抗大多数熔融金属的侵蚀，适合于严格环境条件，常用于冶炼金属和半导体制造工艺。

透明导电的铌掺杂二氧化钛(TNO)具有导电性好和可见光波段透射率高的性质,与标准半导体制造工艺兼容性好,容易制备成膜和其他各种纳米结构。掺铌二氧化钛透明导电氧化物(TCO)薄膜在近红外(NIR)波段其介电常数的实部可为负值,同时相较于传统的贵金属等离子体材料(plasmonic material)其损耗更低,且具有良好的可调性,有望成为新型的可替代传统金属的低损耗等离子体材料。

氧化钡掺钛酸钡靶材(BaO-BaTiO₃)是以高纯氧化钡(BaO)与钛酸钡(BaTiO₃)为基体，通过固相合成与气氛控制烧结技术制备的多功能复合氧化物靶材，纯度≥99.95%，密度≥5.8 g/cm³。其具备可调介电常数(ε=2000-10000)、高居里温度(Tc=120-200℃)及优异铁电性能，适配射频磁控溅射(RF Sputtering)与脉冲激光沉积(PLD)工艺，用于沉积高容量储能薄膜、微波介质层及压电传感器功能层。

碳化硼(B₄C)靶材是一种以高纯度硼碳化合物为原料，通过先进粉末冶金工艺(如热压烧结HP、热等静压HIP或火花等离子烧结SPS)制备的高性能陶瓷溅射靶材。该靶材具备极高的化学纯度(通常≥99.5%，可定制99.9%及以上核工业级)、优异的致密化程度(高密度、低气孔率，通常 >95%理论密度)、均匀的微观结构(细小且分布均匀的晶粒)及稳定的晶体结构(菱形六面体)。这些特性确保其在磁控溅射(RF, Pulsed DC)、离子束溅射(IBS)等物理气相沉积(PVD)工艺中表现出色：溅射稳定、膜层附着力强、成分均一、耐极端环境性能优异。

本靶材采用高纯钽粉(≥99.99%)、无定形硼粉(≥99.95%)及特种氧化钽前驱体(Ta₂O₅-H₂O胶体)经 微波等离子体烧结(MPS)→ 多向热锻(MDF)→ 气相渗透致密化(GID) 三级工艺制备的 极端电子与防护超材料。

二硼化钒(VB2)靶材基本信息：分子式：VB₂，纯度：99.5%，CAS号：12007-37-3；

二硼化锆(ZrB₂)薄膜属于导电难熔陶瓷薄膜(UHTC film)，工业上不用于电阻或光学增透，主要用途集中在以下几个方向。

二硼化钛(TiB₂)薄膜是高硬度、低电阻、耐熔耐蚀的导电陶瓷膜，工业应用比 ZrB₂/TaB₂ 更广一些。

二硼化钨(通常指标称 WB₂ 靶材，实际沉积 W–B 复相膜，含 WB + W₂B₅)薄膜用途和 TiB₂/ZrB₂/TaB₂ 有区别——它钨含量高、密度大、耐 Plasma 侵蚀强，主打硬质保护 + 耐离子轰击电极/面对材料。