铬磷硫单晶
号 | CAS号 | 编号 | 包装 | 参数 |
102324 | | XF236 | 大于 10mm2 | 纯度:99.99% |
102325 | | XF236 | 大于 25mm2 | 纯度:99.99% |
102326 | | XF236 | 大于 100mm2 | 纯度:99.99% |
产品名称
中文名称:铬磷硫单晶
英文名称:CrPS4 Single crystal
性质
晶体种类:磁性半导体
纯度:99.99%
应用
电子器件实验,物理性能研究等。
其他信息
储存条件:常温干燥避光保存,开封前保存6个月。
铁磷硫单晶
货号 | CAS号 | 编号 | 包装 | 参数 |
102321 | | XF235 | 大于10mm2 | 纯度:99.99% |
102322 | | XF235 | 大于25mm2 | 纯度:99.99% |
102323 | | XF235 | 大于100mm2 | 纯度:99.99% |
产品名称
中文名称:铁磷硫单晶
英文名称:FePS3 Single crystal
性质
晶体种类:磁性半导体
纯度:99.99%
应用
电子器件实验,物理性能研究等。
其他信息
储存条件:常温干燥避光保存,开封前保存6个月。
镍磷硫单晶
货号 | CAS号 | 编号 | 包装 | 参数 |
102318 | | XF234 | 大于10mm2 | 纯度:99.99% |
102319 | | XF234 | 大于25mm2 | 纯度:99.99% |
102320 | | XF234 | 大于100mm2 | 纯度:99.99% |
产品名称
中文名称:镍磷硫单晶
英文名称:NiPS3 Single crystal
性质
晶体种类:磁性半导体
纯度:99.99%
应用
电子器件实验,物理性能研究等。
其他信息
储存条件:常温干燥避光保存,开封前保存6个月。
钴磷硫单晶
货号 | CAS号 | 编号 | 包装 | 参数 |
102315 | | XF233 | 大于10mm2 | 纯度:99.99% |
102316 | | XF233 | 大于25mm2 | 纯度:99.99% |
102317 | | XF233 | 大于100mm2 | 纯度:99.99% |
产品名称
中文名称:钴磷硫单晶
英文名称:CoPS3 Single crystal
性质
晶体种类:磁性半导体
纯度:99.99%
应用
电子器件实验,物理性能研究等。
其他信息
储存条件:常温干燥避光保存,开封前保存6个月。
锰磷硒单晶
货号 | CAS号 | 编号 | 包装 | 参数 |
102312 | | XF232 | 大于10mm2 | 纯度:99.99% |
102313 | | XF232 | 大于25mm2 | 纯度:99.99% |
102314 | | XF232 | 大于100mm2 | 纯度:99.99% |
产品名称
中文名称:锰磷硒单晶
英文名称:MnPSe3 Single crystal
性质
晶体种类:磁性半导体
纯度:99.99%
应用
电子器件实验,物理性能研究等。
其他信息
储存条件:常温干燥避光保存,开封前保存6个月。
锰磷硫单晶
货号 | CAS号 | 编号 | 包装 | 参数 |
102309 | | XF231 | 大于10mm2 | 纯度:99.99% |
102310 | | XF231 | 大于25mm2 | 纯度:99.99% |
102311 | | XF231 | 大于100mm2 | 纯度:99.99% |
产品名称
中文名称:锰磷硫单晶
英文名称:MnPS3 Single crystal
性质
晶体种类:层状蜂窝状晶格反铁磁体
纯度:99.99%
应用
电子器件实验,物理性能研究等。
其他信息
储存条件:常温干燥避光保存,开封前保存6个月。
碘化铬单晶
货号 | CAS号 | 编号 | 包装 | 参数 |
102306 | | XF230 | 大于10mm2 | 纯度:99.99% |
102307 | | XF230 | 大于25mm2 | 纯度:99.99% |
102308 | | XF230 | 大于100mm2 | 纯度:99.99% |
产品名称
中文名称:碘化铬单晶
英文名称:CrI3 Single crystal
性质
居里温度:61 K
纯度:99.99%
晶体结构:菱面体(R3,BiI3)
单斜晶(C2/m,AlCl3)
应用
CrI3单晶为铁磁性材料,具有层依赖的磁性,常用于研究材料中不同寻常的原子级特性进与材料的磁性,如电调控的磁电子学、范德华力引起的界面效应。
其他信息
储存条件:常温干燥避光,惰性气体下保存,开封前保存6个月。
CrI3极易与空气、水等媒介发生反应,为**程度保持其原有特性,请尽量在使用过程中少接触空气与水。建议全程惰性气体保护下操作或真空环境下操作。