立式化学气相沉积炉(SiC、BN)
立式化学气相沉积炉(SiC、BN)是专为冶金及材料科学领域设计的高端设备,广泛应用于外延片基座、晶体炉高温耐材、热弯模具、半导体坩埚、陶瓷基
复合材料等的表面涂层、基体改性及复合材料制备。设备采用先进的控制技术,能够精密调控MTS流量和压力,确保炉膛内沉积气流稳定,压力波动极小。其全密闭沉积室密封效果好,抗污染能力强,多通道工艺气路设计实现流场均匀,无沉积死角,沉积效果优异。此外,设备配备多级高效尾气处理系统,能有效处理高腐蚀性尾气、易燃易爆气体、固体粉尘及低熔点粘性产物,环境友好且安全可靠。最高温度可达1500℃,温控精度为±5℃,适配真空、CH₄、H₂、N₂、Ar、BCI₃、NH₃、MTS等多种工艺气氛,满足复杂的冶金及材料制备需求。
核心参数
非金属电热元件:其他
金属电热元件:其他
烧结气氛:真空
温控精度:±5
最高温度:1500
额定温度:1500
产品描述:
立式化学气相沉积炉(SiC、BN)可用于材料的表面涂层、基体改性、复合材料制备等
应用范围:
外延片基座、晶体炉高温耐材、热弯模具、半导体坩埚、陶瓷基复合材料等
技术特征
采用先进的控制技术,能精密控制MTS的流量和压力,炉膛内沉积气流稳定,压力波动范围小;
全密闭沉积室,密封效果好,抗污染能力强;
多通道工艺气路,流场均匀,无沉积死角,沉积效果好;
多级高效尾气处理系统,能有效处理高腐蚀性尾气、易燃易爆气体、固体粉尘及低熔点粘性产物,环境友好;
可选配新设计的防腐蚀真空机组,持续工作时间长,维修率极低;
使用工艺气氛:真空/CH4/H2/N2/Ar/BCI3/NH3/MTS。
产品规格
配置选择
结构形式:卧式-单开门/双开门;立式-上出料/下出料
炉门锁紧方式:手动/自动
炉壳材质:内层不锈钢/全不锈钢
加热器、马弗材质:石墨/CFC/金属
热电偶:K/N/C/S分度号