仪器简介
飞行时间——二次离子质谱仪(TOF-SIMS)采用质谱技术分析材料表面原子层以确定表面元素组成和分子结构。其工作原理是样品表面被高能聚焦的一次离子轰击时,一次离子注入被分析样品,把动能传递给固体原子,通过层叠碰撞,引起中性粒子和带正负电荷的二次离子发生溅射,再通过测量不同二次离子的飞行时间测量它们的质量/荷质比,对被轰击的样品的表面和内部元素分布特征进行分析。二次离子质谱可以分析包括氢在内的全部元素,并能给出同位素的信息、分析化合物组分和分子构成,灵敏度好、质量分辨率高、可测量的分子量范围大,还可以进行微区成分成像和深度剖面分析。
性能指标
高分辨质谱:
灵敏度:灵敏度:10^9个原子/cm^2(上标)
可检测质量范围:1-3000 amu
质量分辨率:原子:1000 (FWHM);有机物:2000 (FWHM)
质量准确度:0.56 mamu
微区成像:
SIMS化学成像,空间分辨率:0.2 μm
二次电子成像
深度剖面:深度分辨率:1.1 nm
一次离子源:AuGa液态金属离子
离子束能量:25 keV
脉冲微区尺寸:0.2 μm(低电流),0.5 μm(高电流)
离子刻蚀枪:Cs+离子枪,离子束能量:0.5-5 keV
正、负离子SIMS模式一键切换
通氧,帮助提高正二次离子产额
低能脉冲电子枪(30eV),用于绝缘样品分析
测试项目
固体表面全元素和1-3000有机物质谱分析,痕量元素/有机物定量,二次离子成像、痕量元素深度分布分析
样品要求
薄样品架:16.5×13.5 mm以内,厚度方向500μm以内厚样品架:16.5×13.5 mm以内,厚度方向约1 mm4位置可变厚度样品架:8×8 mm以内,厚度方向6 mm以内