合肥金星智控科技股份有限公司
宣传

位置:中冶有色 >

有色技术频道 >

> 失效分析技术

> 对双探头PMOS辐射剂量计进行退火的方法

对双探头PMOS辐射剂量计进行退火的方法

975   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 09:02:32
本发明涉及电离辐射剂量测量领域,公开了一种对基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计进行退火方法,该方法将经辐照后失效的所述基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计的正栅电极、背栅电极、源电极以及漏电极接至地线,置于95至105℃环境温度范围下退火230至310小时;之后将环境温度升温至145至155℃范围继续退火80~120小时;然后将所述基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计取出置于20至25℃环境温度下测试,与该PMOS辐射剂量计未辐照前数据比对校准。
声明:
“对双探头PMOS辐射剂量计进行退火的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
分享 0
         
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
标签:
失效分析
全国热门有色金属技术推荐
展开更多 +

 

中冶有色技术平台微信公众号
了解更多信息请您扫码关注官方微信
中冶有色技术平台微信公众号中冶有色技术平台

最新更新技术

报名参会
更多+

报告下载

第二届中国微细粒矿物选矿技术大会
推广

热门技术
更多+

衡水宏运压滤机有限公司
宣传
环磨科技控股(集团)有限公司
宣传

发布

在线客服

公众号

电话

顶部
咨询电话:
010-88793500-807
专利人/作者信息登记