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半导体器件的制造方法

818   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 09:01:10
提供一种借助于打算的高度集成和高速度的实现能够得到高度可靠的半导体器件的制造方法。在诸过程期间,在一个包括一个CMOS静态型电路的希望电路形成在半导体衬底上直到产品装运之后,进行:一种第一操作,把一个预定输入信号供给到电路,并且检索与它对应的一个第一输出信号;和一种第二操作,给出增大构成CMOS静态型电路的MOSFET的导通电阻值的一种操作条件,并且检索与该条件对应的一个第二输出信号;及一个测试步骤,通过从第二输出信号变化的第一输出信号确定失效。
声明:
“半导体器件的制造方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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