本发明提出一种采用测试针卡进行DRAM晶圆测试的方法,避免了由于测试针卡异常造成的量产滞后问题,并同时降低了量产的成本。本发明的测试方案包括以下步骤:1)晶圆起测;2)确定测试针卡中需要保护的关键探针,依次单独进行有关所述关键探针的测试项;若某一测试项未通过,则关断相应的失效
芯片电源,然后对其他芯片继续进行下一测试项,直至完成所有的测试项;3)功能测试,即执行DRAM的各种功能测试项;4)测试结束。
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