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半导体元件的分析方法

642   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:59:56
本发明公开了一种半导体元件的分析方法,此方法包括提供半导体元件,且半导体元件上具有异常区域。接着,对异常区域进行聚焦式离子束显微镜分析程序,其中聚焦式离子束分析程序的结果显示异常区域具有缺陷。在聚焦式离子束分析程序之后,对异常区域进行电性检测步骤,以判断异常区域中的缺陷是否为元件真正失效缺陷。
声明:
“半导体元件的分析方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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