本发明公开了一种基于表面态吸收原理的垂直耦合透明光电探测器,所述垂直耦合透明光电探测器包括:探测器和信号读出电路;所述探测器由光敏面、氧化层、金电极、及衬底组成,光敏面由
半导体材料制成,待测光源为能量低于半导体禁带宽度的光源;待测光源入射到光敏面上时,通过边界态吸收造成光敏区导纳的变化;信号读出电路以器件导纳作为读出信号,待测光几乎无损耗地穿过所述探测器,从而实现对待测光的非侵入式探测。本发明拓宽了光电探测器的应用场景。
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