本发明公开了一种无损测量纳米线阵列比表面积和密集度的装置,所述纳米线阵列垂直设于导电基底层顶面,该装置包括电解池,设于所述导电基底层底面的背电极,设于所述纳米线阵列对应侧的对电极,以及覆盖于所述导电基底层顶面未生长纳米线区域的绝缘层;所述纳米线阵列和所述对电极浸入所述电解池中的电解液内,同时所述导电基底层和所述背电极与所述电解液绝缘设置,最后在所述背电极和所述对电极之间加上偏压U形成电解池回路结构,其优点在于,本发明测量纳米线阵列比表面积和密集度的方法为无损测量,同时适用于大面积一维纳米结构阵列的比表面积和密集度测量,且不会破坏纳米线阵列的完整性。
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