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无损测量纳米线阵列比表面积和密集度的装置及方法

1008   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:57:59
本发明公开了一种无损测量纳米线阵列比表面积和密集度的装置,所述纳米线阵列垂直设于导电基底层顶面,该装置包括电解池,设于所述导电基底层底面的背电极,设于所述纳米线阵列对应侧的对电极,以及覆盖于所述导电基底层顶面未生长纳米线区域的绝缘层;所述纳米线阵列和所述对电极浸入所述电解池中的电解液内,同时所述导电基底层和所述背电极与所述电解液绝缘设置,最后在所述背电极和所述对电极之间加上偏压U形成电解池回路结构,其优点在于,本发明测量纳米线阵列比表面积和密集度的方法为无损测量,同时适用于大面积一维纳米结构阵列的比表面积和密集度测量,且不会破坏纳米线阵列的完整性。
声明:
“无损测量纳米线阵列比表面积和密集度的装置及方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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