一种二维碲化铋单晶片的CVD制备方法,所述方法采用化学气相沉积法,并利用滑轨对材料生长过程进行调控,得到了形貌可控的大尺寸二维碲化铋单晶片。该方法可以有效避免升温和降温阶段副反应的发生,大大减少副产物在衬底表面的沉积,所制备的碲化铋单晶片尺寸较大而且形貌可控,呈现规则的六边形或三角形。这种单晶材料拥有单一的晶体取向和更好的结晶质量,使其成为未来光电探测器领域最有潜力的一类材料,这对材料的光电性能的提高具有重要的意义。
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