揭示了在基片上沉积薄膜用的装置内的暴露面进行钝化的方法。沉积室和与之相通管道的内表面经钝化处理而阻止了在沉积工艺中反应物和反应产物在所述内表面上的吸附或化学吸附。为此目的而进行的表面钝化处理包括表面处理、衬里、温度调节或它们的组合。还揭示了一种测量温度或温度范围的方法,该温度范围使得表面上反应物和反应产物积聚的量最小。也揭示了在沉积室和气体流通管道内表面钝化的沉积装置。
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