在一些实施例中,提供了一种半导体器件。该半导体器件包括设置在半导体衬底中的外延结构,其中,该外延结构具有IV族化学元素,其中,外延结构从半导体衬底的第一侧延伸到半导体衬底中。光电检测器至少部分地布置在外延结构中。具有与第一IV族化学元素不同的第一覆盖结构化学元素的第一覆盖结构覆盖位于半导体衬底的第一侧上的外延结构。第二覆盖结构布置在第一覆盖结构和外延结构之间,其中,第二覆盖结构包括IV族化学元素和第一覆盖结构化学元素。本发明的实施例还提供了半导体器件的形成方法。
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