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基于层状钴氧化物的低温测温元件

944   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:28:49
本发明公开一种基于层状钴氧化物的低温测温元件,包括单晶基底、薄膜热敏元件、金属电极Ⅰ、金属电极Ⅱ、金属电极Ⅲ、金属电极Ⅳ、导线Ⅰ、导线Ⅱ,薄膜热敏元件在单晶基底上沿c轴外延生长,在薄膜热敏元件上表面依次设置有等距排列的金属电极Ⅰ、金属电极Ⅱ、金属电极Ⅲ、金属电极Ⅳ,金属电极Ⅰ、金属电极Ⅳ通过导线Ⅰ连接恒流源输出端,金属电极Ⅱ、金属电极Ⅲ通过导线Ⅱ连接电压表输入端,薄膜热敏元件为层状钴氧化物薄膜;本发明测温元件在0℃~‑200℃下电阻温度系数大,电阻温度关系线性好,物理化学性能稳定、成本低廉。
声明:
“基于层状钴氧化物的低温测温元件” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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