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低温检测氮氧化物气敏元件的制备方法

765   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:19:35
本发明公开了一种低温(150oC)检测氮氧化物气敏元件的制备方法:首先采用p型单晶硅作为基底,利用双槽电化学的方法在基底表面制备多孔硅层;其次以金属钨作为耙材,利用磁控溅射的方法在多孔硅表面沉积金属钨薄膜;然后,在水平管式炉中采用热退火金属钨薄膜的方法制备多孔硅/氧化钨纳米线复合结构;最后,在多孔硅/氧化钨纳米线复合结构表面沉积铂电极,制得低温检测氮氧化物气敏元件,其在低温且对低浓度NOx气体具有高灵敏度、高选择性以及良好响应恢复特性。该方法具有设备简单、操作方便、工艺参数易于控制、成本低的优点,具有重要的实践与研究意义。
声明:
“低温检测氮氧化物气敏元件的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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