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用于辐射吸收和检测的半导体材料

882   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:08:36
用于辐射吸收和检测的半导体材料,其包括化学计量Li(M12+,M22+,M32+,...)(G1V,G2V,G3V,...)的并且显示出反萤石型排序的组成,其中Li=1,(M12++M22++M32++...)=1,和(G1V+G2V+G3V+...)=1。该材料提供了两个有用的特性:[1]高Li-位点密度,其当富集于6Li时,产生了异常的中子-吸收能力,和[2]用于有效地将所吸收的光子和中子能量转化为电流的半导能带隙。这些特性可在发电或γ和中子辐射的光谱检测的应用中被利用。该材料可以被定制以便仅仅检测γ光子,仅仅检测中子粒子,或同时检测γ光子和中子粒子。
声明:
“用于辐射吸收和检测的半导体材料” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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