本发明涉及一种等离子体刻蚀终点检测方法,包含以下步骤:先制备金属层上生长一层SiN并带有光刻胶窗口的样品,再将样品固定在离子刻蚀机的腔室内,然后往离子刻蚀机的腔室内通入反应气体CF4,接着打开离子刻蚀机腔室内的上下射频源,使气体离化并在腔室内磁场下运动,CF4气体的F离子与SiN介质层的Si离子形成Si‑F化学基团,最后利用Si‑F化学基团所发射波长的光强变化,进行刻蚀终点检测;本发明由于SiN介质层与金属层存在很大差别的光波强度,利用Si‑F化学基团所发射波长的光强变化,实现终点检测,不仅可以准确达到刻蚀形貌,提高元器件生产效率,还能提高等离子体刻蚀设备的寿命以及设备内的腔室氛围。
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