本发明公开一种三维ZnO阵列聚吡咯分子印迹
电化学传感器及其制备方法和应用,利用以金为导电基底,以ZnO为基础材料,在导电基底上直接生长ZnO三维阵列结构,并通过电聚合方法,以对氨基苯磺酰胺为模板分子,制备分子印迹聚吡咯纳米阵列,结合电化学工作站构建基于金基底的ZnO阵列分子印迹传感器。通过ZnO三维纳米阵列结构的构建,增加电极材料的比表面积及活性位点,从而提高检测灵敏度,降低检测限。
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