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基于有机-无机量子点P-N异质结构的分子印迹光电化学传感器及其制备方法和应用

713   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 06:56:05
本发明公开了一种基于半导体有机聚合物量子点和无机硫化镉量子点异质结构的分子印迹光电化学传感器及其制备方法和在α‑Solanine毒素检测中的应用。本发明通过理论计算来确定异质结构材料的能带位置,设计出合理的P‑N异质结构,并将分子印迹技术与光电化学相结合,最后成功制备出了分子印迹光电化学传感器。本发明制备的传感器以半导体有机聚合物量子点(Pdots)和无机硫化镉量子点(CdS)形成的P‑N异质结构材料作为光电转换层,通过表面修饰含有毒素识别位点的分子印迹膜来实现龙葵碱的检测。该传感器具有检测范围宽,选择性好,灵敏度高,检测限高达6.51pg·mL‑1;同时响应稳定,具有良好的重现性。
声明:
“基于有机-无机量子点P-N异质结构的分子印迹光电化学传感器及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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