一种生长半绝缘砷化镓单晶的掺碳装置及掺碳方法,涉及
半导体材料技术领域,包括石英管和PBN坩埚组,PBN坩埚组装于石英管内,石英管的两端安装有密封卡头,石英管的两端分别设置有管路,分别称为充气管路和排气管路,充气管路上设置有通断阀门三,充气管路上游为两个并联的支气管路,分别称为充氧管路和充碳管路,充氧管路连接有氧气源,充碳管路连接有碳气源,并且均通过阀门控制氧气源或碳气源的通断;排气管路的下游为两个并联的支气管路,分别称为放气管路和抽真空管路,放气管路上设置有阀门,抽真空管路上连接有抽真空装置。本申请可分别实施充氧烘烤工艺和C沉积工艺,两个工艺在同一设备上依次进行,简化了设备,节省了热能损耗。
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