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一种提高SiC场发射阴极材料高温电子发射稳定性的方法

887   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 06:25:57
一种提高SiC场发射阴极材料高温电子发射稳定性的方法,其包括以下具体步骤:1)有机前驱体聚硅硼氮烷在气氛烧结炉中于260℃保温30min热交联固化,然后球磨粉碎;2)以碳纸为衬底,在0.05mol/L的Co(NO3)2(纯度:99%)乙醇溶液中浸渍处理,取出自然晾干备用;3)将粉碎得到的粉末置于石墨坩埚底部,浸渍处理的碳纸置于石墨坩埚顶部,一起置于气氛保护炉中;4)在纯度为99.9%的Ar气氛保护下,从室温以25℃/min加热至1550℃;5)以15℃/min从1550℃降温至1100℃;6)随炉冷却至室温,实现原位B掺杂SiC纳米线的制备;7)将SiC纳米线用作场发射阴极进行电子发射性能检测和分析。通过B掺杂,SiC场发射阴极材料的高温电子发射稳定性得到了有效提高。
声明:
“一种提高SiC场发射阴极材料高温电子发射稳定性的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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