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一种提高SiC场发射阴极材料高温电子发射稳定性的方法

943   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-19 06:25:57
一种提高SiC场发射阴极材料高温电子发射稳定性的方法，其包括以下具体步骤：1)有机前驱体聚硅硼氮烷在气氛烧结炉中于260℃保温30min热交联固化，然后球磨粉碎；2)以碳纸为衬底，在0.05mol/L的Co(NO3)2(纯度：99%)乙醇溶液中浸渍处理，取出自然晾干备用；3)将粉碎得到的粉末置于石墨坩埚底部，浸渍处理的碳纸置于石墨坩埚顶部，一起置于气氛保护炉中；4)在纯度为99.9%的Ar气氛保护下，从室温以25℃/min加热至1550℃；5)以15℃/min从1550℃降温至1100℃；6)随炉冷却至室温，实现原位B掺杂SiC纳米线的制备；7)将SiC纳米线用作场发射阴极进行电子发射性能检测和分析。通过B掺杂，SiC场发射阴极材料的高温电子发射稳定性得到了有效提高。
声明：
“一种提高SiC场发射阴极材料高温电子发射稳定性的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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