权利要求书： 1.一种光电子能谱仪，其特征在于，包括：分析腔体(1)，所述分析腔体(1)采用顶部可开口的柱状结构；在分析腔体(1)上自下往上依次设定抽真空高度H3、分析高度H2、传样高度H1；抽真空组件，所述抽真空组件设置在分析腔体(1)的抽真空高度H3附近；电子能量分析器(13)，所述电子能量分析器(13)设置在分析腔体(1)的分析高度H2附近；激发光源(12)，所述激发光源(12)设置在分析腔体(1)的分析高度H2附近；样品台(5)，所述样品台(5)延伸至分析腔体(1)内，且在H1、H2之间移动；至少一个与分析腔体(1)连接的真空腔体。2.根据权利要求1所述的一种光电子能谱仪，其特征在于，与分析腔体(1)连接的所述真空腔体为传样腔(21)，所述传样腔(21)设置在分析腔体(1)的传样高度H1附近；所述传样腔(21)和分析腔体(1)之间设置第一插板阀(22)，在传样腔(21)内沿传样腔(21)的轴向设置第一磁力杆(23)。3.根据权利要求2所述的一种光电子能谱仪，其特征在于，垂直于传样腔(21)设置进样腔(31)，进样腔(31)和传样腔(21)之间相互连通，但是在进样腔(31)上设置第二插板阀(32)，在进样腔(31)内沿轴向设置第二磁力杆(33)。4.根据权利要求1所述的一种光电子能谱仪，其特征在于，在分析腔体(1)内设置μ金属屏蔽层(3)，所述μ金属屏蔽层(3)也采用柱状结构；μ金属屏蔽层(3)的上部为开口结构且可拆卸安装μ金属上盖(3a)。5.根据权利要求4所述的一种光电子能谱仪，其特征在于，所述μ金属屏蔽层(3)采用单层或双层的μ金属结构。6.根据权利要求4所述的一种光电子能谱仪，其特征在于，在μ金属屏蔽层(3)内部设置低温屏蔽罩(11)，且在分析腔体(1)外部设置低温泵(10)。7.根据权利要求2或3中任意一项权利要求所述的一种光电子能谱仪，其特征在于，在所述传样腔(21)上设置加热台(25)。8.根据权利要求7所述的一种光电子能谱仪，其特征在于，在传样腔(21)上设置离子枪(24)。9.根据权利要求7所述的一种光电子能谱仪，其特征在于，所述样品台(5)采用4轴闭循环低温样品台或者6轴开循环低温样品台。 说明书： 一种光电子能谱仪技术领域[0001] 本实用
声明：
“光电子能谱仪” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
665
编辑：中冶有色网
来源：长三角先进材料研究院
分享 0
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
2025年06月06日 ~ 08日 
