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0 近日，青禾晶元在其官方渠道发布了一则重要消息，宣布与中科院微电子所高频高压中心及南京电子器件研究所展开合作，共同研发出基于6英寸Emerald-SiC复合衬底的高性能且低成本的1200V SiC MOSFET。这一成果标志着青禾晶元在碳化硅半导体材料领域取得了重要突破。
据了解，在MOSFET制造过程中，高质量的无缺陷衬底是确保器件性能的关键。然而，目前市场上可用于MOSFET制造的高质量衬底的成品率普遍较低，仅为40%-60%。这导致高质量SiC衬底的生产成本高昂，占最终MOSFET器件成本的50%以上。为了降低生产成本，青禾晶元携手合作单位提出了一种新型6英寸单晶SiC复合衬底技术。
该技术通过表面活化键合技术和离子注入剥离技术，将高质量SiC薄层键合转移到低质量单晶SiC衬底上，实现了低质量单晶SiC衬底的有效利用。据透露，每个高质量SiC晶圆可重复使用超过30次，预计成本可降低40%。这一技术的成功应用，不仅降低了SiC MOSFET的生产成本，还提高了产品的性能和可靠性。
此外，复合衬底技术已成为碳化硅乃至半导体产业的一大技术突破方向。除了青禾晶元外，其他厂商如达波科技也在积极涉足这一领域。达波科技近期披露了其首条4/6英寸碳化硅基压电复合衬底生产线的贯通情况，进一步推动了复合衬底技术的发展。
碳化硅基压电复合衬底作为一种高性能材料，具有高硬度、耐高温、耐腐蚀等优点，在电子、光电和机械等多个领域有着广泛的应用前景。在电子行业中，它被广泛用于制造高功率LED和功率器件;在光电行业中，它则用于制造太阳能电池板和激光器。
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