本发明公开了一种离子注入机稳定性的监控方法,包括以下步骤:S1、先取光硅片,并生长氧化层;S2、对生长氧化层的光硅片进行离子注入,且将离子注入的浓度峰值注入在硅和氧化层的交界面;S3、进行快速热处理,激活杂质,形成导电层;S4、去除氧化层;S5、对去除氧化层的导电层进行电阻值的测试,确认电阻稳定性;S6、对导电层进行多次定频监控;本发明改变现有的注入机台监控方式,对注入机能量和剂量的稳定性监控都能起到很好的作用,大大降低因机台的波动而造成批量产品的失效报废的机率,具有良好的市场应用价值。
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