本公开实施例涉及半导体领域,提供一种半导体结构和半导体结构的制造方法,半导体结构包括:基底,所述基底包括相邻设置的
芯片区和划片道区;侦测金属层,位于所述基底上,且位于所述划片道区靠近所述芯片区的一侧,所述侦测金属层能够在激光照射下发生形态变化。本公开实施例至少可以提前侦测激光切割的效果,有利于降低半导体结构的失效率。
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