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半导体结构和半导体结构的制造方法

825   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 09:05:35
本公开实施例涉及半导体领域,提供一种半导体结构和半导体结构的制造方法,半导体结构包括:基底,所述基底包括相邻设置的芯片区和划片道区;侦测金属层,位于所述基底上,且位于所述划片道区靠近所述芯片区的一侧,所述侦测金属层能够在激光照射下发生形态变化。本公开实施例至少可以提前侦测激光切割的效果,有利于降低半导体结构的失效率。
声明:
“半导体结构和半导体结构的制造方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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