本发明公开一种内连线结构与晶片,该内连线结构包含:多个介电层,在至少一切割线上具有多个对准排列的工艺控制监测垫;以及导电结构,设置于最上方的工艺控制监测垫之上,该导电结构电性连接最上方的工艺控制监测垫至其上方的待测元件,该导电结构的尺寸及形状被设计为露出最上方的工艺控制监测垫的主要部分,以利于测试探针接近。所述内连线结构与晶片在晶粒切割工艺中能够降低失效的比率,进而达到较高的优良率。
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