本发明属于集成电路失效分析领域。本发明提供了一种集成电路缺陷点定位方法,本发明方法通过将集成电路进行开封,同时在集成电路短路引脚的两端进行通电,形成热点,再通过红外热成像显微镜进行拍摄,与未通电时拍摄的照片进行比对,从而准确定位出微短路的精确位置,为后续的进一步分析提供有效信息。本发明有如下优点:1、本发明方法可以对集成电路的微短路缺陷点进行准确定位,速度快,成本低,效率高;2、本发明方法不对人体产生伤害;3、本发明方法极大地提高了封装级失效分析的成功率。
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