本发明涉及MEMS传感器,具体是一种基于RTS的MEMS面内高g加速度传感器。解决了现有MEMS高g加速度传感器结构不易实现水平向加速度测量、检测结果易受温度影响等问题,包括硅基框架、质量块,质量块两侧分别通过独立支撑梁、两组合梁与硅基框架固定,独立支撑梁沿质量块中心线设置,两组合梁以质量块中心线为对称轴对称设置;组合梁含检测梁、两连接梁,检测梁上设有应变压敏元件,检测梁的厚度及宽度小于连接梁;独立支撑梁、质量块、组合梁中的连接梁为等厚设置。结构合理、简单,能实现水平向加速度测量,加工工艺简单,受环境温度影响较小,在高温环境下不易失效,易于实现三轴集成,适用于测量高g值的冲击加速度。
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