本发明提供一种叉指状栅GOI结构失效点定位方法,包括:提供集成电路
芯片样品;逐层剥离集成电路各层直至暴露出源极/漏极接触顶部;刻蚀去除源极/漏极接触中的导电材料;采用电压衬度分析法,利用聚焦离子束(FIB)切割的方法,逐步定位栅极氧化层的失效点。通过去除源极/漏极接触中的导电金属,有效规避了FIB切割时源极/漏极接触(S/D CT)对电压衬度的干扰,进而实现栅极氧化层的漏电点(失效点)的精确定位,提高栅极氧化层可靠性失效分析的成功率。
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