本发明公开了一种消除高安全智能卡
芯片数据加解密对非易失存储器可靠性测试影响的方法。针对数据加密后写入存储器的物理数据与编程预期数据不一致,在测试COS中嵌入预加解密函数,对数据进行预加解密处理,保证写入存储器的物理数据与预期数据一致。本发明提出的非易失存储器物理数据模型测试方法,能够覆盖典型物理失效模式,有效地考核高安全智能卡芯片中非易失存储器的本征可靠性水平。
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“非易失存储器耐久力物理数据模型测试方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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