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新的芯片测试结构

1013   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 09:00:21
本发明公开了一种晶圆可接受性测试的方法,述方法包括:在所述第一梳状金属线上施加高电压,同时在所述第二梳状金属线上施加中电压,并保持全部的所述多晶硅接地;若测得所述多晶硅的电流超出规格,则表明是所述接触孔和所述多晶硅之间存在泄漏;若测得所述多晶硅的电流未超出规格,则表明是金属线间失效或者是层间介电质孔洞失效;通过本发明的使用,可以在帮助生产线在第一时间发现层间介电质孔洞、接触孔和多晶硅之间的孔洞等工艺缺陷,及时做出调整;并且由于本发明可同时监控多个工艺问题,大大减小了测试结构面积,降低了包含测试在内的生产成本。
声明:
“新的芯片测试结构” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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