本发明涉及一种硅通孔的测试结构,包括:半导体衬底;硅通孔,部分嵌于所述半导体衬底内;导电材料层,位于所述半导体衬底上方、所述硅通孔的外侧并与所述硅通孔相连接;其中,所述硅通孔以及所述导电材料层构成电容测试结构。本发明提供了一种晶圆可接受测试(WAT)的测试结构,用硅通孔,硅通孔隔离层以及
多晶硅来形成电容结构,通过测试该电容结构的电容值和电容的漏电,来(1)推算TSV隔离层的电性厚度,(2)测试TSV的漏电流大小。所述测试结构不仅有助于侦测TSV隔离层的隔绝能力,而且可以帮助出现问题时的PFA(物理失效分析)定位。
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