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SiC MOSFET监测电路及监测方法

808   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 09:00:09
本发明涉及状态监测技术领域,公开了一种SiC MOSFET监测电路及监测方法,包括采样模块,用于采集所述SiC MOSFET栅极的电信号;分析模块,与所述采样模块连接,用于将所述电信号与预设阈值进行比较,并根据比较结果判断所述SiC MOSFET是否老化失效。所述SiC MOSFET监测电路通过采样电路对所述SiC MOSFET的栅极电信号进行检测采集处理,并将采集到的电信号与预设阈值进行比较,根据比较结果判断所述SiC MOSFET是否老化失效。将本发明提供的所述SiC MOSFET监测电路应用在包含有SiC MOSFET器件的电路或系统中时,可以在不中断系统工作状态的情况下实现对所述SiC MOSFET器件状态的监测和老化失效预警,监测过程对系统正常工作的干扰小,且预测精度高。
声明:
“SiC MOSFET监测电路及监测方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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