本发明公开了一种功率MOSFET的故障预测和健康处理方法及测试系统,具体步骤包括:选择性能特征正常的MOSFET器件作为测试样本,通过测试正常器件在老化过程中漏源极电压,漏极电流,器件外壳温度这三个参数,对测试的数据进行分析并建立以特征参数Rds(on)为基础的先验退化模型E,确定失效阈值,然后利用对实际被检测器件的测试数据对模型E进行训练,修正模型的特征参数,通过计算预测MOSFET器件的剩余寿命,输出健康评估结果,对器件进行健康处理,本发明所提供的功率MOSFET的故障预测和健康处理方法,无需采用大型的测试设备和复杂的实验环境,预测精确度高,预测算法性能稳定,可以大大降低错误预报的概率。
声明:
“功率MOSFET的故障预测和健康处理方法及测试系统” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)