本发明提供的用于判定GOX击穿失效的样品制备方法,其在对隔绝氧化层进行机械研磨后使用BOE溶液腐蚀去除
多晶硅层上剩余隔绝氧化层,降低了研磨处理伤害样品的风险,提高了样品处理的成功率;使得多晶硅层厚度均匀,便于后续步骤的控制;可以实现剩余隔离氧化层的完全去除,使得多晶硅层表面无氧化物残留,保证了样品的洁净度,使得SEM观察无干扰。同时采用新型高腐蚀选择比的碱性溶液腐蚀去除多晶硅层,由于腐蚀选择比高,腐蚀时间延长,使得腐蚀过程易于控制,最终可以呈现一个均匀、完整、洁净的GOX用于SEM进行全方位观察,大幅提高了击穿点观测的成功率和精确度。
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