本发明提供了一种晶体硅
光伏电池组件黑片缺陷失效分析方法,包括:步骤1:进行I‑V测试;步骤二,采用电致发光(electroluminescent,EL)测试软件进行EL测试,对晶体硅光伏组件通1‑40mA电流,并采用600W像素的EL相机拍摄组件;步骤三,进行红外线(IR)测试,对晶体硅
光伏电池组件通不同的电流,并记录其温度;步骤四,进行反向偏压致发光(ReBEL)测试,对晶体硅光伏电池组件施加一定的反向电压,采用600W像素的EL相机拍摄组件;步骤五,进行显微成像测试,分别进行500倍和3000倍显微成像测试;步骤六,进行能量色散X射线(EDX)测试;步骤七,根据步骤一到步骤六的检测结果对缺陷黑片进行分类;步骤八,对于步骤七确定的缺陷黑片分类分别进行成因确定。
声明:
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我是此专利(论文)的发明人(作者)