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SiC MOSFET模块内部多芯片温度分布均匀性的无损测试方法

1012   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:58:00
本发明公开了一种SiCMOSFET模块内部多芯片温度分布均匀性的无损测试方法,在SiCMOSFET模块栅极施加一个高栅压,工作在盲区之上,分别施加小电流和长脉宽大电流,获得小电流的温度敏感参数和大电流含有自升温的温度敏感参数;通过反向逆推大电流含有自升温的温度敏感参数,获得未产生自升温的校温曲线,结合小电流的校温曲线,建立校温曲线库;基于校温曲线库,在小电流和长脉宽大电流下,测试升温后模块的两个温度值,计算二者温度结果的差值;根据温度差值的大小与参考温度差值作比较,即可在不破坏模块封装的情况下判断模块内部的温度分布情况。本发明避免了在实际工况下,模块内部多芯片温度分布不均匀、温度差异大,导致个别芯片可靠性明显降低的问题。
声明:
“SiC MOSFET模块内部多芯片温度分布均匀性的无损测试方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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