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多晶硅生产

767   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:57:00
本发明涉及化学气相沉积(CVD)反应器系统,其具有由反应室壁围住的反应室,所述反应室壁的内表面被布置为朝向所述室的内部。至少一部分所述壁为朝向所述室的热控层,并且所述热控层由材料例如电解沉积的镍构成,所述材料在300K下测得的发射系数为0.1以下并且硬度为至少3.5Moh。使用这样的CVD反应器系统从富含硅的气体生产多晶硅
声明:
“多晶硅生产” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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