本发明公开了一种在镍纳米针锥阵列上制备锗
负极材料的方法。本发明的制备方法如下:首先在镍基体上利用水溶液电沉积的方法制备一定高度的镍纳米针锥阵列,然后在厌氧厌水的环境中,利用离子液体电沉积的方法制备锗负极材料,喷碳处理后组装电池,测试其
电化学性能。本发明在镍纳米针锥阵列上利用离子液体电沉积的方法,制备高比容量、长循环寿命和高库伦效率的锗负极材料,离子液体电沉积过程中,电流密度较小,制备的的锗膜均匀;而且制备的材料为纳米级的粒子,减少了材料循环过程中的粉化,制备的负极材料与基体(镍纳米针锥阵列)基础面积大,结合力好,制备方法工艺简单,操作方便。
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