本发明公开了一种具有交换偏置效应的Mn‑Ni‑Ga哈斯勒合金材料,属于磁性材料制备领域,其化学式为Mn
50Ni
50‑xGa
x,其中x的原子百分比为2~14。本发明还公开了一种具有交换偏置效应的Mn‑Ni‑Ga哈斯勒合金材料的制备方法,包括以下步骤:步骤1、根据Mn
50Ni
50‑xGa
x的原子百分比分别称取纯度不低于99.9%的Mn、Ni、Ga;步骤2、采用电弧熔炼或定向凝固法制备Mn、Ni、Ga得到Mn‑Ni‑Ga哈斯勒合金材料样品;步骤3、将得到的样品热处理和测试及表征。
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“具有交换偏置效应的Mn-Ni-Ga哈斯勒合金材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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