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压力流量温度集成芯片及其制作方法

664   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:30:16
一种集成压力、流量、温度等参数测量的微传感芯片及制作方法,主要包括压力传感区域、流量与温度传感区域,本发明基于硅加工工艺,首先在基底整个硅层上方热氧化一层二氧化硅,在压力传感区域二氧化硅层上进行局部掺杂分别形成接触电阻和压敏电阻,再在整个硅片两面都热氧化沉积一层二氧化硅与低压化学气相沉积(LPCVD)一层低应力氮化硅,在流量传感区域用剥离法沉积一层铬和铂图形,在硅片正面压力传感区域局部刻蚀氮化硅和二氧化硅,再沉积一层铝或金膜图形形成整个芯片电极,流量传感区域有部分铬和铂图形为环境温度测量,最后同时进行压力传感薄膜与流量传感薄膜下硅刻蚀。本发明的优点是该微传感芯片集成压力、流量、温度等参数测量、体积小、制造工艺简单、可靠性高。
声明:
“压力流量温度集成芯片及其制作方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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