本发明公开了一种宽谱铟镓砷焦平面的结构及其制备方法,宽谱铟镓砷焦平面的基底为InP,自基底起依次有InP腐蚀牺牲层,周期性薄层低维量子点层,腐蚀截止层,In0.83Ga0.17As吸收层和重掺杂接触层;还公开了一种制备所述探测器的方法,主要步骤为:1)产生混成结构In0.83Ga0.17As焦平面探测器;2)机械研磨去除InP基底层;3)化学腐蚀去除牺牲层;4)干法等离子刻蚀去除部分截止层;本发明的优点在于实现单片响应范围覆盖400‑2600nm的铟镓砷焦平面探测器,可简化各类高光谱成像系统的光路,降低功耗、体积、重量,提升探测敏感度。
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