本发明公开一种制造图像传感器的方法和一种图像传感器。制造图像传感器的方法可以包括:在半导体衬底上面和/或上方形成包括金属线的层间电介质;在层间电介质上面和/或上方形成图像感测部;和/或在图像感测部上面和/或上方形成硬掩模,该硬掩模中可以限定对应于金属线的开口。制造图像传感器的方法可以包括:执行蚀刻工艺以形成暴露图像感测部内部的辅助通孔,和/或通过硬掩模的蚀刻副产品在辅助通孔内部形成间隔件。制造图像传感器的方法可以包括:执行包括化学制品的蚀刻工艺以移除间隔件,和/或蚀刻图像感测部和/或层间电介质以形成深通孔。
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我是此专利(论文)的发明人(作者)