本发明揭示了一种防止
多晶硅栅极被研磨的方法,包括如下步骤:以多晶硅栅极的顶部为量测点测量多晶硅栅极上方的层间介电层的厚度,并将测量的厚度值作为层间介电层的前值厚度;根据层间介电层的前值厚度和预设的多晶硅栅极上方需保留的层间介电层的厚度,计算多晶硅栅极上方需要去除的层间介电层的厚度;采用化学机械研磨将多晶硅栅极上方需要去除的层间介电层去除。本发明通过测量多晶硅栅极上方的层间介电层的厚度来获得层间介电层的前值厚度,消除了多晶硅栅极厚度对层间介电层前值厚度的影响,使得层间介电层的前值厚度更准确,从而避免了多晶硅栅极被研磨,提高了器件的良率。
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