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黄曲霉毒素B1金纳米井阵列免疫电极的制备方法

931   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:23:03
本发明涉及一种黄曲霉毒素B1金纳米井阵列免疫电极的制备方法,其采用化学沉积法在模孔直径为400‑800nm的聚碳酸酯滤膜上沉积金,得到金纳米管阵列主体,在模孔直径为80‑200nm的聚碳酸酯滤膜上沉积金,得到金纳米柱阵列底片,组装制成金纳米井阵列电极;在金纳米管阵列电极表面滴加蛋白A溶液形成蛋白A/金纳米井阵列电极;而后放入无标记AFB1抗体溶液中,制成AFB1抗体/蛋白A/金纳米井阵列电极;进而封闭得到AFB1免疫反应电极。本发明制作简单,具有三维结构,表面积大,有效避免不同材质导致的电化学响应信号的干扰;抗体固定牢固有效,性能稳定可靠,可实现AFB1的灵敏快速测定。
声明:
“黄曲霉毒素B1金纳米井阵列免疫电极的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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