本发明涉及一种黄曲霉毒素B1金纳米井阵列免疫电极的制备方法,其采用化学沉积法在模孔直径为400‑800nm的聚碳酸酯滤膜上沉积金,得到金纳米管阵列主体,在模孔直径为80‑200nm的聚碳酸酯滤膜上沉积金,得到金纳米柱阵列底片,组装制成金纳米井阵列电极;在金纳米管阵列电极表面滴加蛋白A溶液形成蛋白A/金纳米井阵列电极;而后放入无标记AFB1抗体溶液中,制成AFB1抗体/蛋白A/金纳米井阵列电极;进而封闭得到AFB1免疫反应电极。本发明制作简单,具有三维结构,表面积大,有效避免不同材质导致的
电化学响应信号的干扰;抗体固定牢固有效,性能稳定可靠,可实现AFB1的灵敏快速测定。
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