本发明公开了一种非线性光学增强氮化硅薄膜制备方法,该发明属于薄膜非线性光学技术领域。该发明采用原子层薄膜沉积技术制备氮化硅薄膜,通过调控前驱物组份的化学计量比,实现氮化硅薄膜非线性光学增强的效果。具体是指将洁净的衬底放置在镀膜夹具后,利用原子层沉积方法获得氮化硅薄膜,采用流量控制方式,实现硅氮元素化学计量比控制在1:10‑10:1范围内,膜层厚度范围20‑300nm。通过Z扫描的方法测试氮化硅薄膜的非线性光学特性。根据本发明的方法制备的氮化硅薄膜性能优异,能够应用于吸收型光开关或吸收型光双稳器件等领域。另外,本发明关于一种氮化硅薄膜非线性光学增强的制备方法操作简单,制备周期短,成本低,效果显著。
声明:
“非线性光学增强氮化硅薄膜制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)