一种用于调节被用于在半导体基片上化学汽相淀积材料层的桶形反应器的清洗系统的方法,包括在多个清洗管道的每一个中放置旋转式流量计和可调节的流量控制阀门。监测管道中清洗气体的流速和调节阀门保证气流都向桶形反应器的方向流动,使得不发生反应气体被吸入清洗系统的虹吸效应。桶形反应器中氧气的存在也得到了监测,且调节流速减少以氧气的存在。调节流速以保证在一个化学汽相淀积周期完成之后从桶形反应器中完全清除反应气体。降低淀积材料层中金属沾污程度得以实现。
声明:
“调节桶形反应器清洗系统的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)