本发明公开了一类噻吩桥联四胺芘空穴传输材料及制备方法与应用。所述噻吩桥联四胺芘空穴传输材料的结构式如式I所示。该类空穴传输材料具有噻吩桥联的三芳胺结构单元,其在有机溶剂中溶解性好及成膜性好,大的共轭平面结构可有效提升材料的空穴迁移率,且制备成本低。通过光物理性质、
电化学性能和热稳定性测试表明,所述空穴传输材料热稳定性好,能级与
钙钛矿能级相匹配。将其作为空穴传输层应用于钙钛矿
太阳能电池中,具有良好的光电转换效率。
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“噻吩桥联四胺芘空穴传输材料及其在钙钛矿太阳能电池中的应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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